盖世汽车讯 5月31日，纬湃科技和安森美(onsemi)宣布了一项长达10年碳化硅(SiC)产品供应协议，价值19亿美元(约合17.5亿欧元)，以支持纬湃科技在电气化技术方面的发展。
纬湃科技将向安森美提供2.5亿美元的投资，用于采购碳化硅晶圆生长、晶圆生产和外延片等所需的新设备，以确保SiC产能。上述设备将用于生产SiC晶圆，以满足纬湃科技不断增长的SiC需求。与此同时，安森美将继续大力投资端到端SiC供应链。
此外，纬湃科技和安森美将合作为纬湃科技优化客户解决方案。安森美的高效EliteSiC MOSFET将被纬湃科技用于交付最近的订单以及未来的逆变器和电驱项目。
纬湃科技在一份新闻稿中指出，搭载碳化硅半导体的高效功率电子可缩短电动汽车的充电时间和延长续航里程。特别是在800V等高电压水平下，SiC逆变器比硅逆变器效率更高。由于800V是快速方便的高压充电的先决条件，SiC器件正处于全球繁荣的开端。
5月中旬，安森美半导体高管表示，该公司正考虑投资20亿美元提高碳化硅芯片的产量。该公司正考虑在美国、捷克共和国或韩国进行扩张，此前公司在这些国家都已设立工厂。到2027年，安森美计划占据碳化硅汽车芯片市场40%的份额。
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